NGTB40N120IHRWG-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:1200V 参数3：VCE(Sat):1.7V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT模块具有40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高功率、高电压的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置的续流二极管具备40A的正向电流（IF）能力和1.85V的正向压降（Vf），在高频开关和能量回馈场合表现稳定。模块采用标准封装设计，便于安装与散热，广泛用于电源变换、新能源设备及精密电机控制等电力电子领域。
