BIDW50N65T-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:50A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.65V 参数4：二极管正向电流:1.45A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置续流二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.45V，在高频开关与能量回馈应用中表现良好。模块设计兼顾性能与可靠性，适合用于电源转换、新能源控制及高效电机驱动等场景，提供稳定的高压高电流处理能力。
