IXYH40N65B3D1-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.6V 参数4：二极管正向电流:1.8A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT模块集电极电流（Ic）为40A，集射极击穿电压（Vces）达650V，具备较强的电流承载与耐压能力。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，在导通状态下可有效控制功率损耗。内部续流二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，确保稳定可靠的续流性能。模块设计紧凑，适配通用封装标准，便于安装与散热，广泛应用于电源转换、电机驱动及智能电网等高要求场景。
