IXYR50N120C3D1-HXY_TO-247P_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247P 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:50A 参数2：电压VCE:1200V 参数3：VCE(Sat):1.9V 参数4：二极管正向电流:2.7A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT模块具备50A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，可稳定工作于较高功率应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.9V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持50A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为2.7V，提升了整体能效表现。该模块适用于需要高效能量转换与稳定性能的电力电子系统，如智能电网、新能源发电以及高性能电源设备等领域。
