IXGH40N120B2D1-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:1200V 参数3：VCE(Sat):1.9V 参数4：二极管正向电流:2.5A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高电压与大电流工作环境。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有效降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.5V，具备良好的热稳定性和响应特性。该器件适合用于需要高频开关、功率控制精度高的应用场景，如电源变换、智能电网及高性能电机驱动等场合。
