IRG8P50N120KD-EPBF-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:1200V 参数3：VCE(Sat):1.7V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT模块具有40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，可适应较高功率密度的应用需求。其集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.7V，有效减少导通状态下的功率损耗。内部二极管支持40A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，进一步提升系统整体效率。该模块适合应用于高效能电力转换系统，如智能能源管理、可再生能源接入以及高精度电源控制等领域。
