DGTD120T40S1PT-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:1200V 参数3：VCE(Sat):1.7V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为IGBT管/模块，具备集电极电流（Ic）40A、集射极击穿电压（Vces）1200V的高耐压与大电流能力，适合需要高效能功率转换的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有效降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管的正向电流（IF）可达40A，正向压降（Vf）为1.85V，支持快速恢复特性。该器件适用于电源变换器、智能电网设备、新能源控制系统等领域，提供稳定可靠的功率控制性能。
