XD040Q120AT1S3_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:1200V 参数3：VCE(Sat):1.7V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本IGBT管/模块主要参数包括：集电极电流（Ic）为40A，集射极击穿电压（Vces）达1200V，具备较高的耐压与载流能力；集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于降低导通损耗。内置续流二极管的正向电流（IF）为40A，正向压降（Vf）为1.85V，支持高效能功率转换。适用于各类高性能电源变换装置、智能控制设备及新能源系统中的功率开关应用。
