IKW40N120H3-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:1200V 参数3：VCE(Sat):1.7V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），支持高耐压与大电流工作环境。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有效降低损耗并提升效率。内部集成二极管正向电流（IF）达40A，正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的开关特性和热稳定性。该器件适用于各类高效能电源转换系统、智能电网设备及新能源控制装置中的高频功率切换应用。
