IHW30N135R5-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:30A 参数2：电压VCE:1350V 参数3：VCE(Sat):1.65V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT模块具备30A的集电极电流(Ic)和1350V的集射极击穿电压(Vces)，可稳定工作于较高电压与电流环境，适用于对功率控制要求较高的场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V，能在导通状态下保持较低损耗。内置二极管的正向电流(IF)为30A，正向压降(Vf)为1.85V，具备良好的反向恢复特性。模块采用高可靠性封装，具备较好的热稳定性与绝缘性能，适合应用于能源转换、精密电源管理及相关配套设备中。
