STGYA50H120DF2-HXY_TO-247P_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247P 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:50A 参数2：电压VCE:1200V 参数3：VCE(Sat):1.9V 参数4：二极管正向电流:2.7A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为IGBT管/模块，具备50A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），可适应较高功率的应用需求。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于在高效能运作的同时控制导通损耗。内置二极管支持最大50A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为2.7V，表现出良好的导通特性。该器件适用于电源变换装置、电机控制电路以及多种高精度电子设备，为系统提供稳定且高效的功率处理能力。
