IKW50N60H3-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:50A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.65V 参数4：二极管正向电流:1.45A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为IGBT管/模块，具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率应用场景。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可支持最大50A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.45V，表现出优异的导通性能。该器件可广泛应用于电源转换、电机驱动及精密电子设备中，提供高效、稳定的功率控制解决方案。
