MBQ40T120QESTH-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:1200V 参数3：VCE(Sat):1.7V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高电压与功率需求的电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，在保证性能的同时有效控制导通损耗。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的导通特性和热稳定性。该器件适合用于高频开关、电源转换及能量管理系统的电路设计，能够满足对耐压能力与运行可靠性有要求的应用场景。
