CGWT40N120F2KAD_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:1200V 参数3：VCE(Sat):1.7V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为高性能IGBT管/模块，具备集电极电流（Ic）40A、集射极击穿电压（Vces）1200V的优异参数表现，适合高电压与大电流应用场景。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）仅为1.7V，有助于降低导通损耗并提高系统效率。内置二极管可支持正向电流（IF）达40A，正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和可靠性。适用于需要高效能功率转换与控制的多种复杂场景，满足严苛工况下的运行需求。
