IKW40N120CH7XKSA1-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:1200V 参数3：VCE(Sat):1.7V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT模块具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，适用于高电压与中高功率的应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V，在导通状态下可有效控制功率损耗。内置二极管可承受最高40A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，表现出稳定的续流能力和良好的热性能。模块结构设计紧凑，支持高效、可靠的电力转换与控制功能，适用于多种高性能电子系统的功率管理需求。
