AFGHL50T65SQD-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:50A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.6V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中等功率电力转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升系统整体效率。内部集成二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和反向恢复性能。模块采用通用封装设计，便于安装与维护，适合用于各类高效能电源设备中的电力调控应用。
