IKY75N120CH3XKSA1-HXY_TO-247P-4L_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247P-4L 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:75A 参数2：电压VCE:1200V 参数3：VCE(Sat):1.91V 参数4：二极管正向电流:1.8A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）与1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高功率密度和高效能转换的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.91V，在保证性能的同时兼顾导通损耗控制。内置二极管支持75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的反向恢复特性与热稳定性。该器件可广泛应用于电力变换、能源管理、智能电网及高性能电源系统中，满足对可靠性和效率有高要求的电路设计需求。
