NCE25TD135LT_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:30A 参数2：电压VCE:1350V 参数3：VCE(Sat):1.65V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款IGBT管/模块具备30A的集电极电流（Ic）和1350V的集射极击穿电压（Vces），可支持高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗。内置二极管的正向电流（IF）为30A，正向压降（Vf）为1.85V，性能稳定。该器件适用于需要高效能电力转换与控制的设备，如电源系统、电机驱动装置及智能电网相关设施，为复杂电路设计提供可靠的技术支持。
