SPT50N65F1A1T8TL-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:50A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.6V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的开关性能与稳定性。该器件可广泛应用于高效电源转换、能量调节及高频逆变等场景，满足复杂电气环境下对高性能功率器件的需求。
