MSG15T65FL_TO-220F_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：IGBT管/模块 最小包装：50/管装 参数1：电流IC:15A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.79V 参数4：二极管正向电流:1.68A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本IGBT管/模块具备15A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于多种中高功率电力电子应用。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.79V，有助于实现较低的导通损耗。内部集成的续流二极管可承受15A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.68V，具备良好的导通效率与恢复性能。该器件采用高可靠性封装工艺，具备优良的散热与绝缘特性，适用于高频开关电源、变频控制装置及智能能源系统等对稳定性和效率有较高要求的场景。
