15T65SD_TO-220F_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：IGBT管/模块 最小包装：50/管装 参数1：电流IC:15A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.79V 参数4：二极管正向电流:1.68A 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本IGBT管/模块具备15A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适合中高功率电力电子系统应用。导通时集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.79V，有助于控制导通损耗。内部续流二极管可承受15A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.68V，表现出良好的导通性能与恢复特性。该器件结合稳定的封装工艺，提供可靠的电气绝缘与散热能力，适用于对效率、耐压及长期稳定性有要求的高频开关电源、变频设备及智能电网相关装置。
