MIW40N120FLA-BP-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:1200V 参数3：VCE(Sat):1.7V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT模块具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，适用于高电压、中等功率的电力转换应用。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V，能够在较高电压环境下保持稳定的导通性能。内置续流二极管支持40A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，提供良好的电流流通与续流能力。模块采用坚固封装结构，具有出色的热稳定性和可靠性，适用于多种电源变换系统中的高频开关操作。
