MIW40N65RA-BP-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.6V 参数4：二极管正向电流:1.8A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT模块具备40A的集电极电流(Ic)与650V的集射极击穿电压(Vces)，适用于中高功率电力转换场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V，在保证性能的同时兼顾导通压降控制。内部续流二极管支持40A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.8V，具备良好的电流承载与续流特性。模块封装设计稳定，适用于多种高效能电源系统，提供可靠的开关表现和热管理能力。
