IXYH75N65C3D1-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:75A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.6V 参数4：二极管正向电流:1.6A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）与650V的集射极击穿电压（Vces），可适应较高功率需求的电路设计。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通压降，提升能量转换效率。内置二极管支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）同样为1.6V，进一步优化系统整体性能。该器件适合用于多种高效电力控制与转换场景，提供稳定可靠的运行表现。
