IXYH120N65C3-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:100A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.45V 参数4：二极管正向电流:1.55A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT模块具备100A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适合多种中高功率电力电子应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.45V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受100A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.55V，具备良好的热稳定性和快速恢复特性。适用于电源变换、智能电网设备、高性能电机驱动等场景，提供高效、可靠的开关控制能力。
