IXGH50N120C3-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:1200V 参数3：VCE(Sat):1.9V 参数4：二极管正向电流:2.5A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，能够在导通状态下保持较低的能量损耗。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.5V，性能稳定。该器件适合用于需要高效能开关和功率控制的设备中，例如电源转换装置、电机驱动系统以及储能设备等，具备良好的热稳定性和可靠性，能够满足复杂工况下的运行需求。
