IXGH40N120A2-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:1200V 参数3：VCE(Sat):1.9V 参数4：二极管正向电流:2.5A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本IGBT管/模块具有40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.5V，具备良好的续流性能与稳定性。该器件适合应用于电源转换、储能装置及高效开关电路等场景，满足对效率与可靠性有较高要求的电路设计方案。
