IXYH40N120C3-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:1200V 参数3：VCE(Sat):1.9V 参数4：二极管正向电流:2.5A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。导通时集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有效降低导通损耗，提升系统整体效率。内部反并联二极管可承受40A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为2.5V，具备良好的续流能力与稳定性。该器件适合应用于电源变换器、储能系统及高效能开关电路等场景，满足对性能与可靠性有较高要求的电力电子设计方案。
