APT40GR120B-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:1200V 参数3：VCE(Sat):1.9V 参数4：二极管正向电流:2.5A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款IGBT管/模块典型集电极电流为40A，集射极击穿电压达1200V，具备较强的高电压和大电流承载能力。其集射极饱和电压为1.9V，在导通状态下可有效降低功率损耗。内部反并联二极管支持40A正向电流，正向压降为2.5V，适用于高频开关应用。该器件适合用于电源变换、电机控制及储能系统等场景，具备良好的热稳定性与可靠性，能够适应较复杂的工作环境，满足高效能功率转换需求。
