RGS80TS65HRC11-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.6V 参数4：二极管正向电流:1.8A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为IGBT管/模块，主要参数包括：集电极电流（Ic）为40A，集射极击穿电压（Vces）达650V，确保在高压环境下稳定工作；集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管的正向电流（IF）为40A，正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的续流能力。该器件适用于需要高效能功率转换与控制的场景，如智能电网、可再生能源系统及精密电机驱动等领域，提供可靠、高效的性能支持。
