IGW40N65F5-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.6V 参数4：二极管正向电流:1.8A 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该IGBT模块具有40A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内部集成的续流二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，增强了整体能效表现。该器件可应用于电源转换、电机驱动及高频开关等电路设计，提供稳定且可靠的技术支持。
