APT68GA60B-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.6V 参数4：二极管正向电流:1.8A 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），满足中高功率场景下的开关需求。导通时集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效控制导通损耗。内部集成续流二极管，其正向电流（IF）达40A，正向压降（Vf）为1.8V，确保稳定工作。该器件适用于电源变换、智能电网、高性能电子设备等应用场景，具备良好的热稳定性与开关性能，可为系统提供高效可靠的支持。
