IGW40N60H3-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.6V 参数4：二极管正向电流:1.8A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适合中高功率应用需求。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置续流二极管的正向电流（IF）为40A，正向压降（Vf）为1.8V，性能稳定。该器件适用于需要高效能开关操作与热稳定性的场合，可广泛用于电源转换、智能电网及高性能电子设备中。
