RGWS00TS65GC13-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:50A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.6V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本IGBT管/模块具备50A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），可满足高功率密度场景的技术需求。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.6V，有效减少导通损耗。内部续流二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提升了整体能效表现。该产品适用于多种功率转换设备，如电源系统、电机驱动装置及智能电网相关应用，提供稳定可靠的电气性能与长期运行可靠性。
