RGS00TS65HRC11-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:50A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.6V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本IGBT管/模块具备50A集电极电流（Ic）与650V集射极击穿电压（Vces），满足高耐压与大电流工作需求。导通时集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.6V，显著降低功率损耗。内部集成续流二极管，支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提升系统能效。适用于各类高效功率转换装置，如智能电源管理系统、高性能电机控制电路及可再生能源变换设备，提供稳定、可靠的电气性能和良好的热稳定性。
