IRGP4266-EPBF-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:75A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.6V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本IGBT管/模块具备75A集电极电流（Ic）与650V集射极击穿电压（Vces），适合中高功率电力电子系统应用。其集射极饱和压降（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升转换效率。内置续流二极管支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，能够在高频工作条件下提供稳定可靠的反向续流路径。模块结构设计优化，兼顾良好的散热性能与电气稳定性，适用于多种高效电源变换设备。
