IGW50N60TP-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:50A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.6V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）与650V的集射极击穿电压（Vces），适合多种中高功率应用场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。内部续流二极管可支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备优良的热稳定性与动态响应特性。模块设计注重电气隔离与散热性能，适用于电力电子变换、智能能源管理及高效电源系统等场景，提供稳定可靠的开关控制能力。
