IXYX120N120C3-HXY_TO-247P_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247P 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:140A 参数2：电压VCE:1200V 参数3：VCE(Sat):1.55V 参数4：二极管正向电流:2.01A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT模块具备140A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，可稳定工作于较高功率应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.55V，有助于降低导通损耗。内部续流二极管支持140A正向电流(IF)，正向压降(Vf)为2.01V，表现出良好的反向恢复特性。该模块适用于需要高效能开关与耐高压能力的电力电子系统，如电源变换器、储能设备及智能电网相关装置中。
