IXXX160N65C4-HXY_TO-247P_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247P 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:160A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.37V 参数4：二极管正向电流:1.33A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT模块具有160A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.37V，有效降低导通损耗，提升整体效率。内部集成的续流二极管可承受160A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.33V，具备良好的电流承载与恢复性能。该器件适合应用于电源转换、能量管理及高效能电子设备中，支持高频开关操作，满足对稳定性和可靠性要求较高的电路设计需求。
