IXXX200N65B4-HXY_TO-247P_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247P 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:160A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.37V 参数4：二极管正向电流:1.33A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款IGBT管/模块具备160A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.37V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持160A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.33V，性能稳定，适合多种高要求电路设计应用。
