APT50GR120B2-HXY_TO-247P_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247P 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:50A 参数2：电压VCE:1200V 参数3：VCE(Sat):1.9V 参数4：二极管正向电流:2.7A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款IGBT管/模块集电极电流（Ic）为50A，集射极击穿电压（Vces）可达1200V，具备较高的耐压能力，适合中高功率应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，在导通状态下能保持较好的能效表现。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.7V，适用于对稳定性与开关性能有一定要求的电路设计。
