APT50GT120B2RG-HXY_TO-247P_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247P 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:50A 参数2：电压VCE:1200V 参数3：VCE(Sat):1.9V 参数4：二极管正向电流:2.7A 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本款IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电路应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，在导通状态下可保持较低的能量损耗。内置二极管支持50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.7V，具有良好的热稳定性和开关性能，适用于多种高性能电力电子系统的设计与应用。
