CRG40T65AN5H_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.65V 参数4：二极管正向电流:2.2A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电源转换场景。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗。内部续流二极管可支持40A正向电流（IF），其正向压降（Vf）为2.2V，提供稳定反向续流路径。该器件适合用于电机驱动、开关电源及变频设备，在高频开关与连续工作条件下均表现出良好的电气性能与可靠性。
