LKB40N65TF2_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.65V 参数4：二极管正向电流:2.2A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于多种中高功率应用场景。导通时集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可承受40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.2V，提供稳定续流能力。器件适合用于电源变换、电机控制及高频开关设备，在复杂电气环境中表现出良好的稳定性与耐久性，满足多样化设计需求。
