CRG50T60AK3HD_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:50A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.65V 参数4：二极管正向电流:1.45A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）与650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有效降低导通损耗，提升整体能效。内部反并联二极管可承受50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.45V，表现出良好的开关性能与热稳定性。模块设计注重可靠性与耐久性，适合应用于高效电源转换、智能能源管理系统及高性能电子设备中。
