RJK03M4DPA-00#J5A_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:90A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气特性，适用于多种高要求的电路设计。其连续漏极电流ID可达90安培，最大漏源电压VDSS为30伏特，确保了在广泛的工作电压范围内稳定运行。导通电阻RDON低至3.5毫欧，在高电流应用中可显著减少功率损耗。栅源电压VGS额定值为20伏特，提供了良好的驱动兼容性。该元件适合用于高效能开关电源、电信设备及消费类电子产品中的精密电流控制和快速切换操作。
