SQ7415AEN-T1_GE3_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:55mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）具备20安培的最大持续漏极电流（ID）和60伏的漏源极击穿电压（VDSS），适用于多种高要求电路设计。其导通电阻（RDS(on)）低至55毫欧，在确保高效性能的同时，减少了发热问题。栅源极阈值电压（VGS）为20伏，保证了稳定的开关特性。该元件在电源管理、信号调节等应用中表现出色，能够实现精准的电流控制和快速响应，适合用作高效的开关器件或放大器。
