RJE0605JPD-00#J3_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:64mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管具有20A的连续漏极电流能力和60V的漏源电压额定值，适用于需要高效能开关或线性控制的应用。其低至64mΩ的导通电阻有助于减少系统功耗并提高整体效率。该MOSFET还支持高达20V的栅源电压，确保了良好的驱动性能与兼容性。凭借这些特性，它成为电源管理、负载切换等场景下的理想选择。
