IDH02G120C5-HXY_TO-220H-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220H-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管 参数1：电流IO:5A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.4V 参数4：反向电流IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款碳化硅二极管具备5A的正向电流（IF），能够承受高达1200V的反向电压（VR），使其在高电压应用中表现出色。其正向电压（VF）为1.4V，保证了较低的能量损耗，而反向漏电流（IR）仅为100uA，减少了不必要的能耗。瞬间正向浪涌电流（IFSM）可达45A，提升了产品在突发状况下的可靠性与稳定性。该二极管适用于需要高效能和紧凑设计的场合，如电源管理和可再生能源系统等领域。
