US2DA_SMA_快恢复/高效率二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：快恢复/高效率二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：电流IO:2A 参数2：电压VR:200V 参数3：压降VF:1V 参数4：反向电流IR:5uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款快恢复高效率二极管具有优秀的电气特性，其最大整流电流IF/A为2安培，能够承受最高200伏特的反向电压VR/V。在正向导通状态下，该二极管的电压降VF/V仅为1伏特，且在反向偏置时，漏电流IR/uA不超过5微安。此外，它还能承受峰值浪涌电流IFSM/A达60安培。这些特点使得它非常适合用于高频开关电源、逆变器电路以及其它需要快速切换状态的应用中，确保了电力转换过程中的高效与稳定。
